博士，研究员

物理学院电子显微镜实验室，澳门新甫京娱乐娱城平台

邮件: p-gao@pku.edu.cn

电话：+86-10-62745365

地址：综合科研楼124房间

研究组主页：http://www.phy.pku.edu.cn/~pgao/home.html

个人简介

高鹏，澳门新甫京娱乐娱城平台物理学院研究员，2010年在中国科学院物理研究所获得凝聚态物理学博士学位，2010-2015年间在美国密歇根大学、美国布鲁克海文国家实验室、日本东京大学从事博士后研究工作。从2005年开始一直从事透射电子显微学相关的研究，发表论文30余篇，其中包括9篇Nature子刊和1篇Science。曾获中国科学院宝洁奖、优秀毕业生奖，中科院物理所所长优秀奖、表彰奖等，2014年入选日本振兴学会（JSPS）外国人特别研究员。

研究兴趣

基于各种透射电子显微学方法来研究功能晶体材料。研究对象主要包括（1）晶体材料中缺陷的原子和电子结构；（2）外场下晶体的结构相变和缺陷演化；（3）离子在固态材料中的迁移动力学过程，如电池材料、阻变存储、催化等。

研究手段

主要研究手段包括（1）基于超高空间分辨的图像定量分析（皮米尺度精确测量）；（2）基于超高能量分辨的电子能量损失谱技术；（3）基于高时间分辨的各种原位电镜探测技术。

代表性论文（总共38篇，包括9篇Nature Commu./Mater./Nano, 1篇Science）

1. P. Gao*, H.-J. Liu, Y.-L. Huang, Y.-H. Chu, R.Ishikawa, B. Feng, Y. Jiang, N. Shibata, E.-G. Wang, Y. Ikuhara, “Atomic Mechanism of Polarization-Controlled Surface Reconstruction in Ferroelectric Thin Films”.Nature Communications 7, 11318 (2016).
2. P. Gao*, L.P. Wang, Y.Y. Zhang, Y. Huang and K.H. Liu, “Atomic-Scale Probing of the Dynamics of Sodium Transport and Intercalation Induced Phase Transformations in MoS₂”, ACS nano DOI: 10.1021/acsnano.5b04950 (2015).
3. P. Gao, J. Britson, C. T. Nelson, J. R. Jokisaari, C. Duan, M. Trassin, S-H. Baek, H. Guo, L. Li, Y. Wang, Y.-H. Chu, A. M. Minor, C-B. Eom, R. Ramesh, L-Q. Chen, and X.Q. Pan*, “Ferroelastic domain switching dynamics under electrical and mechanical excitations”, Nature Communications 5:3801 | DOI: 10.1038/ncomms4801 (2014).
4. Y. Yang, P. Gao, L.Z. Li, X. Q. Pan, S. Tappertzhofen, S. H. Choi, R. Waser, I. Valov, W. D. Lu*, “Electrochemical dynamics of nanoscale metallic inclusions in dielectrics”, Nature Communications 5: 4232 doi:10.1038/ncomms5232 (2014).
5. P. Gao, J. Britson, J. R. Jokisaari, C. T. Nelson, S.-H. Baek, Y. Wang, C.-B. Eom, L.-Q. Chen and X.Q. Pan*, “Atomic Scale Mechanisms of Ferroelastic Domain Wall Mediated Ferroelectric Switching”, Nature Communications 4:2791 doi: 10.1038/ncomms3791 (2013).
6. S. Lee, C. Tarantini, P. Gao, J. Jiang, J. D. Weiss,       F. Kametani, C. M. Folkman, Y. Zhang, X. Q. Pan,    E. E. Hellstrom,    D. C. Larbalestier and C. B. Eom* “Artificially engineered superlattices of pnictide superconductors”, Nature Materials 12, 392-396 (2013).
7. P. Gao, C. T. Nelson, J. R. Jokisaari, Y. Zhang, S-H. Baek, C. W. Bark, E-G Wang, Y. M. Liu, J. G. Li, C-B Eom, and X. Q. Pan* “Direct observations of retention failure in ferroelectric memories”. Advanced Materials 24, 1106-1110 (2012).
8. Y. Yang, P. Gao, S. Gaba, T. Chang, X. Q. Pan, and W. Lu*, “Observation of Conducting Filament Growth in Nanoscale Resistive Memories”. Nature Communications 3,732 (2012).
9. C. T. Nelson, P. Gao, J. R. Jokisaari, K. Zhang, C. Heikes, C. Adamo, A. Melville, B. Winchester, Y. J. Gu, Y. M. Liu, S-H Baek, C. M. Folkman, E-G. Wang, C-B Eom, J. Y. Li, L-Q. Chen, D. G. Schlom, and X. Q. Pan*, “Domain dynamics during ferroelectric switching”. Science 334, 968 (2011).
10. P. Gao, C. T. Nelson, J. R. Jokisaari, S-H Baek, C. W Bark, Y. Zhang, E-G. Wang, D. G. Schlom, C-B. Eom, and X. Q. Pan*, “Revealing the role of defects in ferroelectric switching with atomic resolution”. Nature Communications 2, 591 (2011).
11. P. Gao, Z. C. Kang, W. Y. Fu, W. L. Wang, X. D. Bai* and E. G. Wang*, “Electrically driven redox process of cerium oxides”. J. Am. Chem. Soc 132, 4197-4201 (2010).